نام قطعه
GT60M301
نام کارخانهای
GT60M301
برند
Toshiba Corporation
پکیج
TO-264
بستهبندی
Tube
عنوان گروه
دیتاشیت
توضیحات
IGBT-900V,60A,200W
N-Channel Iso-Gate Bipolar Transistor(Igbt) ;L, 600V, 50A, 200W,Int. Fw Diode(E->C,<2,5وS)
ترانزیستور های موجود در بازار |
| Features | ||
|---|---|---|
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 900 V | |
| DC Collector Current | 60 A | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V | |
| Configuration | Single | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 25 V | |
| Power Dissipation | 200 W | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C° | |
| Maximum Operating Temperature | 150 C° | |
| Brand | Toshiba Corporation | |
| Package | TO-264 | |